近日，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，韓國(guó)光子技術(shù)研究院（KOPTI）宣布成功研發(fā)出高效精細(xì)Micro LED，Micro LED內(nèi)部量子效率均可保持90%的范圍內(nèi)，并且不受芯片尺寸大小和不同的注入電流密度的影響。

20μm Micro LED電流-電壓曲線和發(fā)射圖像（圖片來(lái)源：KOPTI）

這款Micro LED由光學(xué)半導(dǎo)體顯示研究部的Jong hyup Baek博士團(tuán)隊(duì)、Woong ryeol Ryu博士帶領(lǐng)的ZOGAN Semi團(tuán)隊(duì)和漢陽(yáng)大學(xué)納米光電子學(xué)系的Jong in Shim教授共同開發(fā)打造，產(chǎn)品解決了Micro LED因芯片尺寸縮小以及注入電流增加而導(dǎo)致的發(fā)光效率迅速下降的問(wèn)題。

據(jù)悉，20μm尺寸以下的Micro LED不僅發(fā)光效率迅速下降，而且在驅(qū)動(dòng)顯示面板所需的低電流范圍（0.01A/cm²～1A/cm²）內(nèi)，Micro LED非發(fā)光復(fù)合損耗顯著增加。目前，業(yè)界通過(guò)在芯片側(cè)面導(dǎo)入鈍化工藝可一定程度緩解上述問(wèn)題，但并不能從根本上解決。

20μm、10μm藍(lán)光Micro LED的內(nèi)部量子效率 (IQE) 根據(jù)電流密度的變化

KOPTI介紹，本次研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)新結(jié)構(gòu)減輕了外延層中的應(yīng)力，提高了發(fā)光效率，并抑制了Micro LED在任何外部電場(chǎng)或結(jié)構(gòu)下的物理應(yīng)力變化。因此，即使Micro LED尺寸減小，新結(jié)構(gòu)可依舊顯著降低表面非發(fā)光復(fù)合損耗并保持了高發(fā)光效率，且無(wú)需采用鈍化工藝。

目前，團(tuán)隊(duì)已成功驗(yàn)證高效精細(xì)Micro LED在藍(lán)光，以及氮化鎵綠光、紅光器件上的應(yīng)用，未來(lái)有望通過(guò)該技術(shù)生產(chǎn)全彩氮化鎵Micro LED顯示器。